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文献
J-GLOBAL ID：200902111221821511
整理番号：96A0711698
超低温で分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsの微細構造とサブピコ秒の光応答
Microstructure and subpicosecond photoresponse in GaAs grown by molecular beam epitaxy at very low temperatures.
CHIN A
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN W J
(National Yun-Lin Polytechnic Inst., Huwei, TWN)
,
GANIKHANOV F
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN G-R
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SHIEH J-M
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
PAN C-L
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSIEH K C
(Univ. Illinois at Champaign-Urbana, Illinois)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 3 ページ： 397-399 発行年： 1996年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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