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文献
J-GLOBAL ID：200902111319862445
整理番号：99A0525625
GaAs基板上の1.3μmで発光するInAs/InGaAs量子ドット構造
InAs/InGaAs quantum dot structures on GaAs substrates emitting at 1.3 μm.
USTINOV V M
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MALEEV N A
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ZHUKOV A E
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KOVSH A R
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
EGOROV A YU
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
VOLOVIK B V
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ALFEROV ZH I
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LEDENTSOV N N
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 19 ページ： 2815-2817 発行年： 1999年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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