文献
J-GLOBAL ID:200902111382285458
整理番号:94A0099374
The influence of crystal orientation and processing conditions on the energy distribution of traps at the Si-SiO2 interface.
著者 (4件):
BJORKMAN C H
(North Carolina State Univ., N.C.)
,
MA Y
(North Carolina State Univ., N.C.)
,
YASUDA T
(North Carolina State Univ., N.C.)
,
LUCOVSKY G
(North Carolina State Univ., N.C.)
資料名:
Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
(Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2)
ページ:
403-410
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940015
ISBN:
0-306-44419-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)