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文献
J-GLOBAL ID：200902111395183433
整理番号：95A0906368
薄膜トランジスタ用多結晶性Si1-xGexの材料および電気特性に対するGeの影響
Effects of Ge on Material and Electrical Properties of Polycrystralline Si1-xGex for Thin-Film Transistors.
TSAI J A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
TANG A J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
NOGUCHI T
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
REIF R
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 142 号： 9 ページ： 3220-3225 発行年： 1995年09月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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