文献
J-GLOBAL ID:200902111397875332
整理番号:94A0079177
How CVD Si/Ge layer growth is controlled by each one of the reaction gas components.
著者 (5件):
KUEHNE H
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt (Oder), DEU)
,
KISSINGER G
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt (Oder), DEU)
,
ZAUMSEIL P
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt (Oder), DEU)
,
HINRICH S
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt (Oder), DEU)
,
RICHTER H
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名:
Evolution of Surface and Thin Film Microstructure
(Evolution of Surface and Thin Film Microstructure)
ページ:
183-188
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930662
ISBN:
1-55899-175-1
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)