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文献
J-GLOBAL ID：200902111423932013
整理番号：01A0219693
高誘電定数Ta2O5/n-GaN金属-酸化物-半導体構造
High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure.
TU L W
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
KUO W C
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LEE K H
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TSAO P H
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LAI C M
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHU A K
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SHEU J K
(National Central Univ., Chung-Li, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 23 ページ： 3788-3790 発行年： 2000年12月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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