文献
J-GLOBAL ID:200902111524085885
整理番号:93A0870878
ドーピングSi超格子の光起電力効果とその極性
Photovoltaic effect and its polarity in Si doping superlattices.
著者 (5件):
LUO C P
(National Lab. Superlattices and Microstructures, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
,
JIANG D S
(National Lab. Superlattices and Microstructures, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
,
ZHUANG W H
(National Lab. Superlattices and Microstructures, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
,
LI F
(National Lab. Superlattices and Microstructures, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
,
LI Y Z
(National Lab. Superlattices and Microstructures, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
13
ページ:
1777-1779
発行年:
1993年09月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)