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文献
J-GLOBAL ID：200902111564311853
整理番号：03A0088414
薄層Ge酸窒化物ゲート誘電体を有する高移動度pチャネルゲルマニウムMOSFET
High Mobility p-channel Germanium MOSFETs with a Thin Ge Oxynitride Gate Dielectric.
SHANG H
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
OKORN-SCHMIDT H
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
CHAN K K
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
COPEL M
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
OTT J A
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
KOZLOWSKI P M
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
STEEN S E
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
CORDES S A
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
,
HAENSCH W E
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 441-444 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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