文献
J-GLOBAL ID:200902111676099717
整理番号:93A0473800
MBEにより成長させたデルタ注入Si n-MESFETの製造と性能
Fabrication and performances of delta-doped Si n-MESFET grown by MBE.
著者 (5件):
CHEN Q
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
WILLANDER M
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
CARTER J
(Univ. Southampton, GBR)
,
THAKI C H
(Univ. Southampton, GBR)
,
EVANS E R A
(Univ. Southampton, GBR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
8
ページ:
671-673
発行年:
1993年04月15日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)