文献
J-GLOBAL ID:200902111696561190
整理番号:97A0572090
MOSトランジスタにおけるゲート酸化膜の信頼性に対する機械的応力の影響
Effect of Mechanical Stress on Reliability of Gate-Oxide Film in MOS Transistors.
著者 (3件):
MIURA H
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
IKEDA S
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI N
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1996
ページ:
743-746
発行年:
1996年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)