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文献
J-GLOBAL ID：200902111814593434
整理番号：98A0527377
0.3ミクロン技術のノードDRAMにおけるCOPによって誘起される欠陥セルの解析
The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in a 0.3-micron-technology Node DRAM.
MURANAKA M
(Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
MAKABE K
(Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
MIURA M
(Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
KATO H
(Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
IWAI H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAMURA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TADAKI Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
ISHIHARA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAERIYAMA T
(Texas Instruments Inc., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 3B ページ： 1240-1243 発行年： 1998年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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