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文献
J-GLOBAL ID：200902111887993570
整理番号：98A0861344
ワード線自己ブースティングプログラミングを用いた3層ポリシリコン積層フラッシュメモリセル
A Triple Polysilicon Stacked Flash Memory Cell with Wordline Self-Boosting Programming.
CHOI J D
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE D G
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM D J
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
CHO S S
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM H S
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
SHIN C H
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
AHN S T
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1997 ページ： 283-286 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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