文献
J-GLOBAL ID:200902111900968386
整理番号:01A0620132
ファセット制御エピタキシャル横方向被覆成長法で作製したGaN層における転位の透過型電子顕微鏡研究
Transmission Electron Microscopy Investigation of Dislocations in GaN Layer Grown by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth.
著者 (5件):
HONDA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
40
号:
4A
ページ:
L309-L312
発行年:
2001年04月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)