文献
J-GLOBAL ID:200902111945617436
整理番号:93A0526734
双結晶の粒界域Josephson接合に基づく電界効果トランジスタ
Field effect transistor based on a bi-crystal grain boundary Josephson junction.
著者 (5件):
IVANOV Z G
(Dep. Physics, Chalmers Univ. Technology and Univ. Gothenburg, Goeteborg, SWE)
,
STEPANTSOV E A
(Dep. Physics, Chalmers Univ. Technology and Univ. Gothenburg, Goeteborg, SWE)
,
TZALENCHUK A YA
(Dep. Physics, Chalmers Univ. Technology and Univ. Gothenburg, Goeteborg, SWE)
,
SHEKHTER R I
(Dep. Physics, Chalmers Univ. Technology and Univ. Gothenburg, Goeteborg, SWE)
,
CLAESON T
(Dep. Physics, Chalmers Univ. Technology and Univ. Gothenburg, Goeteborg, SWE)
資料名:
IEEE Transactions on Applied Superconductivity
(IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻:
3
号:
1 Pt 4
ページ:
2925-2928
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
W0177A
ISSN:
1051-8223
CODEN:
ITASE9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)