文献
J-GLOBAL ID:200902111953342896
整理番号:94A0402623
TiO2上に形成させた非晶質けい素 電荷移動と界面構造
Amorphous silicon on TiO2: charge transfer and interface structure.
著者 (3件):
WAHI A
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
HOYER P
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
KOENENKAMP R
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
164/166
号:
Pt 2
ページ:
869-872
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)