文献
J-GLOBAL ID:200902112065454240
整理番号:98A0479283
低圧MOCVD法によるFe3O4エピタキシャル薄膜の作製とその表面反応過程
Low-Pressure MOCVD of Fe3O4 Epitaxial Thin Films, and Their Surface Reaction Process.
著者 (2件):
GOMI M
(Japan Advanced Inst. Sci. Technol., Ishikawa, JPN)
,
TOBA T
(Japan Advanced Inst. Sci. Technol., Ishikawa, JPN)
資料名:
日本応用磁気学会誌
(Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻:
22
号:
4-2
ページ:
469-472
発行年:
1998年04月
JST資料番号:
Z0944A
ISSN:
0285-0192
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)