文献
J-GLOBAL ID:200902112088598126
整理番号:97A0895347
Si(100)とアセチレンとの反応によるSiC形成 電子構造と成長モード
SiC formation by reaction of Si(001) with acetylene: Electronic structure and growth mode.
著者 (7件):
DUFOUR G
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
,
ROCHET F
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
,
STEDILE F C
(UFRGS, Rio Grande do Sul, BRA)
,
PONCEY C
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
,
DE CRESCENZI M
(Univ. Camerino, Camerino, ITA)
,
GUNNELLA R
(Univ. Camerino, Camerino, ITA)
,
FROMENT M
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
56
号:
7
ページ:
4266-4282
発行年:
1997年08月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)