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文献
J-GLOBAL ID：200902112142099203
整理番号：00A0765344
Lowering the Annealing Temperature of Ni/SiC for Ohmic Contacts under N2 Gas, and Application to a UV Sensor.
TODA T
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEDA Y
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
SAWADA M
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 338/342 号： Pt.2 ページ： 989-992 発行年： 2000年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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