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文献
J-GLOBAL ID:200902112149407574   整理番号:99A0474679

スマートパワーIC用の新しい横型パワーMOSFET LUDMOSコンセプト

A new lateral power MOSFET for smart power ICs: the “LUDMOS concept”.
著者 (7件):
ZITOUNI M
(LAAS, CNRS, Toulouse, FRA)
MORANCHO F
(LAAS, CNRS, Toulouse, FRA)
TRANDUC H
(LAAS, CNRS, Toulouse, FRA)
ROSSEL P
(LAAS, CNRS, Toulouse, FRA)
BUXO J
(MOTOROLA Inc., TX, USA)
PAG<span style=text-decoration:overline>`E</span>S I
(MOTOROLA Semiconducteurs SA, Toulouse, FRA)
MERCHANT S
(MOTOROLA SPS, AZ, USA)

資料名:
Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)

巻: 30  号:ページ: 551-561  発行年: 1999年06月 
JST資料番号: A0186A  ISSN: 0026-2692  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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