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文献
J-GLOBAL ID：200902112224184160
整理番号：95A0032339
GaAs上で自己集積したInAs島構造に対する臨界層厚
Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs.
LEONARD D
(Univ. California, California)
,
POND K
(Univ. California, California)
,
PETROFF P M
(Univ. California, California)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 50 号： 16 ページ： 11687-11692 発行年： 1994年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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