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文献
J-GLOBAL ID：200902112224881589
整理番号：99A0390432
信頼性向上のためのSiC上絶縁体の調査
Insulator Investigation on SiC for Improved Reliability.
LIPKIN L A
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J W
(Cree Res. Inc., NC, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 3 ページ： 525-532 発行年： 1999年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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