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文献
J-GLOBAL ID：200902112260977363
整理番号：98A0750648
低エネルギーのすれすれ入射酸素ビームによるSiの深さプロフィリング中の複雑なリップル形成
The complex formation of ripples during depth profiling of Si with low energy, grazing oxygen beams.
JIANG Z X
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
ALKEMADE P F A
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 3 ページ： 315-317 発行年： 1998年07月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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