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文献
J-GLOBAL ID：200902112285536159
整理番号：00A0437402
Analysis of platelet distribution in H ion-implanted silicon.
IWATA H
(Aichi Inst. Technol., Aichi, JPN)
,
TAKAGI M
(Aichi Inst. Technol., Aichi, JPN)
,
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Aichi, JPN)
,
IMURA T
(Aichi Inst. Technol., Aichi, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 210 号： 1/3 ページ： 94-97 発行年： 2000年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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