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文献
J-GLOBAL ID：200902112322621609
整理番号：99A0683707
0.25μmのためのゲート電極エッチングプロセスの0.18μmプロセスへの拡張の特性評価
Characterization of Gate Electrode Etch Process for 0.25μm extended to 0.18μm.
HENRY G
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
VIJAY C K
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
PRADEEP Y R
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
SHENG Z M
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
,
JOE K L H
(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 3742 ページ： 96-104 発行年： 1999年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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