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文献
J-GLOBAL ID：200902112485202166
整理番号：93A0597540
300と400°Cで分子ビームエピタキシャル成長させたGaAsでのドーナとアクセプタの濃度
Donor and acceptor concentrations in molecular beam epitaxial GaAs grown at 300 and 400°C.
LOOK D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
ROBINSON G D
(Wright State Univ., Ohio)
,
SIZELOVE J R
(Wright Lab., Ohio)
,
STUTZ C E
(Wright Lab., Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 62 号： 23 ページ： 3004-3006 発行年： 1993年06月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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