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J-GLOBAL ID：200902112578312689 整理番号：97A0705346

Van der WaalsエピタクシーによるGaAs上でのGaSeの核形成及び成長

Nucleation and growth of GaSe on GaAs by Van der Waal epitaxy.

著者 (3件)：

RUMANER L E

(Univ. Washington, Washington, USA)

GRAY J L

(Univ. Washington, Washington, USA)

OHUCHI F S

(Univ. Washington, Washington, USA)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 177 号： 1/2 ページ： 17-27 発行年： 1997年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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