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文献
J-GLOBAL ID：200902112611616729
整理番号：02A0401586
無水硝酸ハフニウムを用いた酸化ハフニウムの原子層沈着
Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide Using Anhydrous Hafnium Nitrate.
CONLEY J F JR
(Sharp Lab. America, Washington, USA)
,
ONO Y
(Sharp Lab. America, Washington, USA)
,
ZHUANG W
(Sharp Lab. America, Washington, USA)
,
TWEET D J
(Sharp Lab. America, Washington, USA)
,
GAO W
(Sharp Lab. America, Washington, USA)
,
MOHAMMED S K
(Oregon Graduate Inst., Oregon, USA)
,
SOLANKI R
(Oregon Graduate Inst., Oregon, USA)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 5 号： 5 ページ： C57-C59 発行年： 2002年05月
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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