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文献
J-GLOBAL ID：200902112637865174
整理番号：97A0262658
金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構造を持つ新しいSi電界エミッタチップの製作
Fabrication of a New Si Field Emitter Tip with Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) Structure.
HIRANO T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KANEMARU S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TANOUE H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ITOH J
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 12B ページ： 6637-6640 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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