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文献
J-GLOBAL ID：200902112699283422
整理番号：99A0674841
自己集合InGaAs/GaAs量子ドット上のInGaAs成長による1.3μm領域のバンド間発光エネルギーの温度敏感性の低減
Suppression of temperature sensitivity of interband emission energy in 1.3-μm-region by an InGaAs overgrowth on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots.
MUKAI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGAWARA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 26 ページ： 3963-3965 発行年： 1999年06月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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