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文献
J-GLOBAL ID：200902112760466616
整理番号：97A0607597
スマートカットプロセスによる絶縁体上への炭化けい素の形成
Silicon carbide on insulator formation by the Smart-Cut process.
DI CIOCCIO L
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LETERTRE F
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LE TIEC Y
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
PAPON A M
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
JAUSSAUD C
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
BRUEL M
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B46 号： 1/3 ページ： 349-356 発行年： 1997年04月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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