文献
J-GLOBAL ID:200902112828102898
整理番号:02A0855396
強誘電体メモリ電界効果トランジスタ(FeMFET)のデバイスモデリング
Device Modeling of Ferroelectric Memory Field-Effect Transistor(FeMFET).
著者 (3件):
LUE H-T
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU C-J
(National Huwei Inst. Technol., Huwei, TWN)
,
TSENG T-Y
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
10
ページ:
1790-1798
発行年:
2002年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)