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文献
J-GLOBAL ID：200902112920901691
整理番号：02A0597199
種々の温度でのSi中への超浅B及びAs注入により生じた損傷及びドーパントプロフィルの中間エネルギーイオン散乱による評価
Characterization by medium energy ion scattering of damage and dopant profiles produced by ultrashallow B and As implants into Si at different temperatures.
VAN DEN BERG J A
(Univ. Salford, Salford, GBR)
,
ARMOUR D G
(Univ. Salford, Salford, GBR)
,
ZHANG S
(Univ. Salford, Salford, GBR)
,
WANG T-S
(Univ. Sheffield, GBR)
,
CULLIS A G
(Univ. Sheffield, GBR)
,
COLLART E H J
(Applied Materials UK Ltd., W-Sussex, GBR)
,
GOLDBERG R D
(Applied Materials UK Ltd., W-Sussex, GBR)
,
BAILEY P
(CLRC Daresbury Lab., Cheshire, GBR)
,
NOAKES T C Q
(CLRC Daresbury Lab., Cheshire, GBR)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20 号： 3 ページ： 974-983 発行年： 2002年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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