文献
J-GLOBAL ID:200902113003038280
整理番号:98A0852934
不純物誘起層間無秩序化によって形成した発振波長0.98μmの高出力GaInAs-GaInPレーザダイオードのカタストロフィック光損傷(COD)レベルの改善
Improvement of Catastrophic Optical Damage(COD) Level for High-Power 0.98-μm GaInAs-GaInP Laser Diodes Using Impurity Induced Layer Disordering.
著者 (7件):
LEE J K
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
PARK K H
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
JANG D H
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
CHO H S
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
PARK C S
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
PYUN K E
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
,
JEONG J
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
10
号:
9
ページ:
1226-1228
発行年:
1998年09月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)