前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902113003038280   整理番号:98A0852934

不純物誘起層間無秩序化によって形成した発振波長0.98μmの高出力GaInAs-GaInPレーザダイオードのカタストロフィック光損傷(COD)レベルの改善

Improvement of Catastrophic Optical Damage(COD) Level for High-Power 0.98-μm GaInAs-GaInP Laser Diodes Using Impurity Induced Layer Disordering.
著者 (7件):
LEE J K
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
PARK K H
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
JANG D H
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
CHO H S
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
PARK C S
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
PYUN K E
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR)
JEONG J
(Korea Univ., Seoul, KOR)

資料名:
IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)

巻: 10  号:ページ: 1226-1228  発行年: 1998年09月 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。