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文献
J-GLOBAL ID：200902113102993277
整理番号：01A0700157
SnをドープしたIn2O3の電子構造解析
Electronic Structure Analyses of Sn-doped In2O3.
ODAKA H
(Asahi Glass Co. Ltd., Yokohama, JPN)
,
SHIGESATO Y
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
MURAKAMI T
(Teijin Molecular Simulations Inc., Tokyo, JPN)
,
IWATA S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 5A ページ： 3231-3235 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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