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文献
J-GLOBAL ID：200902113110044276
整理番号：99A0935949
400°CにおけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの優れたピンチオフ特性
Superior Pinch-Off Characteristics at 400°C in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors.
MAEDA N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
SAITOH T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TSUBAKI K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
NISHIDA T
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI N
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 9A/B ページ： L987-L989 発行年： 1999年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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