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文献
J-GLOBAL ID：200902113231765299
整理番号：96A0213578
金属有機化学蒸着による研磨した単結晶上のガリウム窒化物のホモエピタクシー
Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition.
PONCE F A
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
BOUR D P
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
GOETZ W
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
JOHNSON N M
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
HELAVA H I
(American Xtal Technol., California)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL)
,
JUN J
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 7 ページ： 917-919 発行年： 1996年02月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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