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文献
J-GLOBAL ID：200902113296189341
整理番号：93A0693875
プラズマ増強化学蒸着した高品質窒化けい素膜
High Quality Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited Silicon Nitride Films.
COTLER T J
(IBM General Technology Division, New York)
,
CHAPPLE-SOKOL J
(IBM General Technology Division, New York)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 140 号： 7 ページ： 2071-2075 発行年： 1993年07月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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