文献
J-GLOBAL ID:200902113337262717
整理番号:01A0700134
ほう素表面相による垂直表面トンネルトランジスタの性能改善
Performance Improvement in Vertical Surface Tunneling Transistors by a Boron Surface Phase.
著者 (6件):
HANSCH W
(Technical Univ. Munich, Munich, DEU)
,
BORTHEN P
(Technical Univ. Munich, Munich, DEU)
,
SCHULZE J
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
,
FINK C
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
,
SULIMA T
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
,
EISELE I
(Univ. German Federal Armed Forces, Munich, DEU)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
5A
ページ:
3131-3136
発行年:
2001年05月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)