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文献
J-GLOBAL ID：200902113525323669
整理番号：00A0729110
分子ビームエピタクシーによりヘテロエピタキシャル成長させたすずドープ酸化インジウム薄膜の電気特性と表面形態
Electrical properties and surface morphology of heteroepitaxial-grown tin-doped indium oxide thin films deposited by molecular-beam epitaxy.
TAGA N
(Asahi Glass Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHIGESATO Y
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAMEI M
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 18 号： 4,Pt.2 ページ： 1663-1667 発行年： 2000年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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