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文献
J-GLOBAL ID：200902113705186872
整理番号：02A0882094
低雑音特性を示す融合InGaAs-Siアバランシェフォトダイオード
Fused InGaAs-Si Avalanche Photodiodes With Low-Noise Performances.
KANG Y
(Univ. California, CA, USA)
,
MAGES P
(Univ. California, CA, USA)
,
CLAWSON A R
(Univ. California, CA, USA)
,
YU P K L
(Univ. California, CA, USA)
,
BITTER M
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
PAN Z
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
PAUCHARD A
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
HUMMEL S
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
LO Y H
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 14 号： 11 ページ： 1593-1595 発行年： 2002年11月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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