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文献
J-GLOBAL ID：200902113711408240
整理番号：00A0283071
エキシマレーザアニーリングによって作製したポリ-Siの結晶成長メカニズムの研究
Study of Crystal Growth Mechanism for Poly-Si Film Prepared by Excimer Laser Annealing.
MATSUO N
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
,
AYA Y
(SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN)
,
KANAMORI T
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
,
NOUDA T
(SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN)
,
HAMADA H
(SANYO Electric Co., Ltd., Gifu, JPN)
,
MIYOSHI T
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 2A ページ： 351-356 発行年： 2000年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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