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文献
J-GLOBAL ID：200902113750576185
整理番号：95A0834121
35nsサイクルタイム3.3V単一32Mb NANDフラッシュメモリ
A 35ns-Cycle-Time 3.3V-Only 32Mb NAND Flash EEPROM.
IMAMIYA K
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWATA Y
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIURA Y
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKAMURA H
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
OODAIRA H
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
MOMODOMI M
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
ITO Y
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
WATANABE T
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYAMOTO J
(TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 38 ページ： 130-131,351 発行年： 1995年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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