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文献
J-GLOBAL ID：200902113822325085
整理番号：03A0017143
バルクAlN上AlGaN/AlN多重量子井戸の深紫外発光
Deep-ultraviolet emission of AlGaN/AlN quantum wells on bulk AlN.
GASKA R
(Sensor Electronic Technol., Inc., South Carolina)
,
CHEN C
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KHAN A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
TAMULAITIS G
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
YILMAZ I
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
SHUR M S
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
,
ROJO J C
(Crystal IS, Inc., New York)
,
SCHOWALTER L J
(Crystal IS, Inc., New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 24 ページ： 4658-4660 発行年： 2002年12月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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