前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902113853302083
整理番号：00A0653326
無疲労基準キャパシタを用いる可変基準ビット線電圧方式を有する0.5μm,3V,1T1C,1Mbit FRAM
A 0.5-μm, 3-V, 1T1C, 1-Mbit FRAM with a Variable Reference Bit-Line Voltage Scheme using a Fatigue-Free Reference Capacitor.
OGIWARA R
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TANAKA S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
ITOH Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MIYAKAWA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKEUCHI Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
DOUMAE S M
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKENAKA H
(Toshiba Microelectronics Corp., Yokohama, JPN)
,
OHTSUKI S
(Toshiba Microelectronics Corp., Yokohama, JPN)
,
TANAKA S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 35 号： 4 ページ： 545-551 発行年： 2000年04月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。