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文献
J-GLOBAL ID：200902113903847388
整理番号：94A0167495
サファイア基板に成長させた窒化アルミニウムの良質のエピタキシャル層
High quality aluminum nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates.
SAXLER A
(Northwestern Univ., Illinois)
,
KUNG P
(Northwestern Univ., Illinois)
,
SUN C J
(Northwestern Univ., Illinois)
,
BIGAN E
(Northwestern Univ., Illinois)
,
RAZEGHI M
(Northwestern Univ., Illinois)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 3 ページ： 339-341 発行年： 1994年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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