文献
J-GLOBAL ID:200902113921578920
整理番号:96A0897151
Direct MOVPE growth of HgCdTe on Si substrates for long-wavelength infrared photodiodes.
著者 (9件):
MARUYAMA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
EBE H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
NISHINO H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OKAMOTO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
MURAKAMI S
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SAITO T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
NISHIJIMA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
WADA H
(Japan Defense Agency, Tokyo, JPN)
,
SHIRAHATA K
(Japan Defense Agency, Tokyo, JPN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
2744
ページ:
14-22
発行年:
1996年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)