文献
J-GLOBAL ID:200902114072567134
整理番号:00A0592332
Application of HRTEM to studies of electronic structure and atomic configuration of interface in SiC/SiC composites.
著者 (4件):
SHIBAYAMA T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HE G W
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KOHYAMA A
(Kyoto Univ., Uji, JPN)
資料名:
Journal de Physique. 4. Proceedings
(Journal de Physique. 4. Proceedings)
巻:
10
号:
Pr6
ページ:
PR6.97-PR6.103
発行年:
2000年04月
JST資料番号:
A0743C
ISSN:
1155-4339
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
フランス (FRA)
言語:
英語 (EN)