文献
J-GLOBAL ID:200902114135181533
整理番号:93A0612014
前もってゲッタ処理を施した多結晶シリコン太陽電池の拡散距離のプロセス終点での水素イオン注入による促進
Enhancement of diffusion length of pregettered multicrystalline silicon solar cells by hydrogen ion implantation at the end of the process.
著者 (8件):
SIVOTHTHAMAN S
(LPSB, CNRS, Meudon, FRA)
,
RODOT M
(LPSB, CNRS, Meudon, FRA)
,
MULLER J C
(PHASE, CNRS, Strasbourg, FRA)
,
HARTITI B
(PHASE, CNRS, Strasbourg, FRA)
,
GHANNAM M
(IMEC, Leuven, BEL)
,
ELGAMEL H E
(IMEC, Leuven, BEL)
,
NIJS J
(IMEC, Leuven, BEL)
,
SARTI D
(PHOTOWATT, Caen, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
24
ページ:
3172-3173
発行年:
1993年06月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)