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文献
J-GLOBAL ID：200902114160311360
整理番号：00A0765451
Operation of a 2500V 150A Si-IGBT/SiC Diode Module.
LENDENMANN H
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
JOHANSSON N
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
MOU D
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
FRISCHHOLZ M
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
ASTRAND B
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
ISBERG P
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
,
OVREN C
(ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 338/342 号： Pt.2 ページ： 1423-1426 発行年： 2000年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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