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文献
J-GLOBAL ID：200902114212387565
整理番号：98A0745881
InGaN多重量子井戸青紫色レーザダイオードの障壁におけるSiドーピングの効果
Effects of Si-doping in the barriers of InGaN multiquantum well purplish-blue laser diodes.
CHICHIBU S
(Univ. California, California)
,
COHEN D A
(Univ. California, California)
,
MACK M P
(Univ. California, California)
,
ABARE A C
(Univ. California, California)
,
KOZODOY P
(Univ. California, California)
,
MINSKY M
(Univ. California, California)
,
FLEISCHER S
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 4 ページ： 496-498 発行年： 1998年07月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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